应用指南
DDR 存储器开发全指南:概述、周期与难点解析
DDR 概述
存储器的身影现在到处可见 — 不仅在服务器、工作站和台式电脑中使用,还广泛嵌入在消费电子、汽车和其他系统设计中。每一代 DDR SDRAM(双倍数据速率同步动态随机存取存储器)的推出,都伴随着速度提升、封装尺寸减小,以及功耗降低(参见表 1)。这些功能特性方面的改进,也使得设计人员在降低设计裕量、提高信号完整性和互操作性方面面临更多的挑战。
DDR 接口
电子器件工程联合会(JEDEC)现已针对小功率DDR(LPDDR)或移动设备(移动DDR)推出了全新的 DDR 标准。顾名思义,这个标准使用了更低的信号幅度,进一步改善了功耗情况。目前,该标准已经达到了 DDR1 的技术指标。工程师们将无需重新设计器件的链路层或协议层,便可享受功耗降低带来的种种优势,因为只需很少的投资便能调整系统的电压电平。
DDR 接口可传输控制、地址、时钟、选通和数据信号。如图 1 所示,时钟、地址和控制信号从存储器控制器单向传输到 DDR 芯片;选通和数据信号为双向传输。在读取操作中,选通和数据信号从DDR 芯片传输到存储器控制器。在写入操作中,信号沿相反方向传输。随着数据传输速率的增加和信号幅度的降低,为了提高信号性能,时钟和选通信号采用差分信号,这样可以消除共模噪声。其他信号仍然在单端模式下操作,更容易受到噪声、串扰和干扰的影响。
常见的 DDR 验证挑战
尽管更快的速度带来了很多好处,但同时也带来了一些问题,让设计和验证变得更加复杂。我们的目标是管理这些问题,并确保良好的信号完整性。这样做可以保证系统的互操作性,提高器件性能,提供更大的设计裕量。图 2 总结了DDR 存储器的开发周期,列出了设计人员和工程师需要应对的典型 DDR 验证挑战。请参阅 DDR 教程文档系列,了解应对每一项挑战所需要的技术和工具:
仿真器件和互连验证
设计人员在把芯片推向市场之前必须要分析其驱动和接收机时,但他们很难观察到这些器件的特性。由于很难获得精确的封装分析结果,这个过程的复杂性进一步加剧。那么如何在一个综合的设计环境中全面表征和优化您的 DDR 存储器设计呢?
探测物理层并进行功能测试
JEDEC 定义了 DRAM 细间距球栅阵列(FBGA)封装的球输出 DDR 规范。球输出位于 FBGA 封装的下面,这让您很难探测其信号,实现真正的一致性。工程师们通常会在过孔或端接电阻器处探测信号,但这通常会影响测量结果。信号反射、失真和偏移等问题会产生一些不良影响。您如何选择一种恰当的方式进行探测,确保您能够精确观察到信号的特性?
请下载此"DDR 存储器概述、开发周期和挑战 "应用指南,了解更多知识。
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